cmos devices中文是什么意思

• 互补金属氧化半导体装置

• "device"中文翻译    n. 1.设计，计划；方法，手段。 2.〔pl.〕意志， ...
• "cmos" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金属氧化物半导体工艺; 互补式金属-氧化层-半导体; 互补型金属氧化半导体; 逻辑; 相补型金属酸化物半导体; 帧校准器; 中的设置不一致
• "cmos cmos" 中文翻译 :    结构
• "devices" 中文翻译 :    措施工艺装备; 设备; 元件
• "bipolar cmos" 中文翻译 :    双极型互补金属氧化物半导体, 双极型cmos
• "ccd cmos" 中文翻译 :    功能的一体机
• "cmos applications" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体应用
• "cmos chicmos" 中文翻译 :    芯片
• "cmos chip" 中文翻译 :    cmos芯片
• "cmos circuits" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体电路
• "cmos contamination" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体沾污
• "cmos converters" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体倒换器
• "cmos device" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体元件
• "cmos gate" 中文翻译 :    互补金氧半导体门电路
• "cmos inverter" 中文翻译 :    cmos倒相器
• "cmos latchucmos" 中文翻译 :    结构的闭锁
• "cmos memory" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金氧半导体存储器
• "cmos microprocessor" 中文翻译 :    互补金氧微处理器
• "cmos on sapphire" 中文翻译 :    蓝宝石上互补金属氧化物半导体
• "cmos power" 中文翻译 :    互补金属氧化半导体电力
• "cmos process" 中文翻译 :    cmos工艺
• "cmos ram" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体随机存储器
• "cmos structure" 中文翻译 :    互补金氧半导体结构
• "cmos technology" 中文翻译 :    cmos技术; 互补金属氧化半导体技术
• "cmos transistor" 中文翻译 :    互补

• Development of cmos devices and circuits with sub - 0 . 1 m gate length
  新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
• In this paper , ni - salicide process has been investigated intensively for the application to deep sub - micron coms devices . with the size of devices scaling , ni - salicide is more suitable for cmos devices than ti - salicide or co - salicide by improving salicide process
  随着器件尺寸的进一步缩减，与传统的ti 、 co自对准硅化物相比， ni自对准硅化物更能适用于cmos器件对硅化物的要求。
• We have demonstrated that the integrated circuit test structures fabricated at standard commercial foundries can be radiation tolerant at total does greater than 100krad ( si ) . the radiation environment of outer space is capable of effecting cmos devices in three ways
  外太空辐射环境主要以三种方式影响cmos器件：总剂量辐射效应( tid ) ，单粒子翻转效应( seu )和单粒子闩锁效应( sel ) 。
• As the technology entered the era of deep - submicron ( dsm ) technologies , the second order effects of cmos device are having more and more influence on the performance of the cmos logic circuits . this dissertation compared the performance of four popular logic families against mcml under dsm technology
  随着工艺发展进入深亚微米时代， cmos器件的二阶效应对电路的性能产生着越来越重要的影响，论文首先对比讨论了mcml电路和其它各种常用逻辑电路在采用深亚微米器件时的性能表现。